Was ist GaN?

GaN steht für Galliumnitrid – ein Halbleitermaterial, das in vielen der neuesten Geräte der Unterhaltungselektronik wegen seiner Fähigkeit verwendet wird, Strom mit geringerem Widerstand, höherer Spannung und weniger Wärme in elektrische Signale umzuwandeln.

Galliumnitrid wird aus Galliumnitrat und Galliumoxid hergestellt, wodurch Elektrizität effizienter durch das Material geleitet werden kann.

Diese Effizienz bei der Stromleitung führt dazu, dass weniger Wärme verloren geht. Dadurch können Komponenten innerhalb der GaN-fähigen Elektronik näher beieinander platziert werden, ohne Kompromisse bei der Sicherheit einzugehen, was zu kleineren und leistungsstärkeren Elektronikgeräten führt.

GaN ist ungefähr 40 % effizienter als Silizium, wenn es darum geht, Strom durchzulassen. Silizium (Si) kommt häufig in Geräten und anderen Orten vor, durch die Strom fließen muss.

Herkömmliche Halbleiter auf Siliziumbasis haben bei der Umwandlung elektrischer Energie in nutzbaren Strom einen Wirkungsgrad von nur 15–20 %. Außerdem kann Silizium nicht bei hohen Temperaturen verwendet werden und Geräte wie Laptops neigen häufig dazu, zu überhitzen, wenn sie aufgeladen werden oder mit Akkustrom betrieben werden.

GaN verfügt über mehrere Eigenschaften, die es für viele Anwendungen wünschenswert machen, einschließlich der Tatsache, dass es bei höheren Spannungen und Temperaturen als herkömmliche Siliziumhalbleiter betrieben werden kann.

GaN ermöglicht schnellere Ladezeiten, schützt gleichzeitig vor Überhitzung und Überladung und ist tragbar!

GaN gibt es schon seit Jahren, wird aber erst seit kurzem in der Batterieindustrie eingesetzt und ist die neueste fortschrittliche Ladetechnologie.

GaN wird als Halbleiter in einer neuen Familie von Ladegeräten mit hoher Leistung und hohem Wirkungsgrad verwendet, die kleiner (fast 60 % kleiner) und leichter sind , effizienter und sicherer als bestehende Modelle.

Das bedeutet, dass Smartphones, Tablets, Laptops, Elektroautos und mehr schneller als bisher aufgeladen werden können und über einen längeren Zeitraum mit einer einzigen Ladung betrieben werden können.

GaN-Technologie scheint die Zukunft zu sein, da sie bei gleicher Eingangsleistung mehr Leistung als Silizium abgeben kann, was sie zu einer energieeffizienteren und „umweltfreundlicheren“ Option macht!

GaN ermöglicht es, die Komponenten eines Ladegeräts viel näher beieinander zu platzieren, was zu wesentlich kleineren und leistungssteigernden Ladegeräten führt. Sein geringes Gewicht und seine Tragbarkeit machen es sehr reisefreundlich.

Sie benötigen lediglich ein Ladegerät für Ihr Telefon, Ihren Laptop und Ihr Tablet!